清华模电ppt下载

这是清华模电ppt，包括了电子技术的发展，模拟信号与模拟电路，电子信息系统的组成，模拟电子技术基础课的特点，如何学习这门课程，课程的目的，考查方法等内容，欢迎点击下载。

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绪     论uah红软基地
一、电子技术的发展   电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！uah红软基地
广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机uah红软基地
网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器uah红软基地
工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床uah红软基地
交通：飞机、火车、轮船、汽车uah红软基地
军事：雷达、电子导航uah红软基地
航空航天：卫星定位、监测uah红软基地
医学：γ刀、CT、B超、微创手术uah红软基地
消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统uah红软基地
   电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路uah红软基地
半导体元器件的发展uah红软基地
1947年     贝尔实验室制成第一只晶体管uah红软基地
1958年     集成电路uah红软基地
1969年     大规模集成电路uah红软基地
1975年     超大规模集成电路uah红软基地
二、模拟信号与模拟电路uah红软基地
四、模拟电子技术基础课的特点 uah红软基地
五、如何学习这门课程uah红软基地
六、课程的目的uah红软基地
1.  掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。uah红软基地
2.  具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。uah红软基地
七、考查方法uah红软基地
1.  会看：读图，定性分析uah红软基地
2.  会算：定量计算uah红软基地
第一章 半导体二极管和三极管uah红软基地
第一章 半导体二极管和三极管uah红软基地
§1  半导体基础知识uah红软基地
一、本征半导体uah红软基地
2、本征半导体的结构uah红软基地
3、本征半导体中的两种载流子uah红软基地
二、杂质半导体 1.  N型半导体uah红软基地
2.  P型半导体uah红软基地
三、PN结的形成及其单向导电性uah红软基地
PN 结的形成uah红软基地
PN 结的单向导电性uah红软基地
四、PN 结的电容效应uah红软基地
问题uah红软基地
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？uah红软基地
为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？uah红软基地
为什么半导体器件有最高工作频率？uah红软基地
§2  半导体二极管uah红软基地
 一、二极管的组成uah红软基地
 一、二极管的组成uah红软基地
 二、二极管的伏安特性及电流方程uah红软基地
利用Multisim测试二极管伏安特性uah红软基地
从二极管的伏安特性可以反映出：   1.  单向导电性uah红软基地
三、二极管的等效电路uah红软基地
2. 微变等效电路uah红软基地
四、二极管的主要参数uah红软基地
最大整流电流IF：最大平均值uah红软基地
最大反向工作电压UR：最大瞬时值uah红软基地
反向电流 IR：即ISuah红软基地
最高工作频率fM：因PN结有电容效应uah红软基地
讨论：解决两个问题uah红软基地
如何判断二极管的工作状态？uah红软基地
什么情况下应选用二极管的什么等效电路？uah红软基地
五、稳压二极管uah红软基地
§1.3    晶体三极管uah红软基地
 一、晶体管的结构和符号uah红软基地
二、晶体管的放大原理uah红软基地
电流分配：    IE＝IB＋ICuah红软基地
    IE－扩散运动形成的电流uah红软基地
     IB－复合运动形成的电流uah红软基地
     IC－漂移运动形成的电流uah红软基地
三、晶体管的共射输入特性和输出特性uah红软基地
2. 输出特性uah红软基地
晶体管的三个工作区域uah红软基地
四、温度对晶体管特性的影响uah红软基地
五、主要参数uah红软基地
讨论一uah红软基地
讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性uah红软基地
讨论三uah红软基地
利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。uah红软基地
第二章  基本放大电路uah红软基地
第二章  基本放大电路uah红软基地
§2.1  放大的概念与放大电路的性能指标uah红软基地
一、放大的概念uah红软基地
二、性能指标uah红软基地
1. 放大倍数：输出量与输入量之比uah红软基地
2. 输入电阻和输出电阻uah红软基地
3. 通频带uah红软基地
§2.2 基本共射放大电路的工作原理uah红软基地
一、电路的组成及各元件的作用uah红软基地
二、设置静态工作点的必要性uah红软基地
三、基本共射放大电路的波形分析uah红软基地
四、放大电路的组成原则uah红软基地
静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。uah红软基地
动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。uah红软基地
对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。uah红软基地
两种实用放大电路：（1）直接耦合放大电路uah红软基地
两种实用放大电路：（2）阻容耦合放大电路uah红软基地
§2.3   放大电路的分析方法uah红软基地
一、放大电路的直流通路和交流通路uah红软基地
1. 直流通路：① Us=0，保留Rs；②电容开路；   ③电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。uah红软基地
2. 交流通路：①大容量电容相当于短路；②直流电源相当于短路（内阻为0）。uah红软基地
基本共射放大电路的直流通路和交流通路uah红软基地
阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路uah红软基地
二、图解法    应实测特性曲线 uah红软基地
2.  电压放大倍数的分析uah红软基地
3.  失真分析uah红软基地
截止失真uah红软基地
饱和失真uah红软基地
消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。uah红软基地
讨论一uah红软基地
1.  用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。uah红软基地
2.  用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。uah红软基地
画出图示电路的直流通路和交流通路。uah红软基地
三、等效电路法uah红软基地
半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。uah红软基地
2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）uah红软基地
在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。uah红软基地
在低频、小信号作用下的关系式uah红软基地
h参数的物理意义uah红软基地
简化的h参数等效电路－交流等效模型uah红软基地
3. 放大电路的动态分析uah红软基地
阻容耦合共射放大电路的动态分析uah红软基地
讨论一uah红软基地
讨论二uah红软基地
讨论三：基本共射放大电路的静态分析和动态分析uah红软基地
讨论四：阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析uah红软基地
讨论五：波形分析uah红软基地
§2.4  静态工作点的稳定uah红软基地
一、温度对静态工作点的影响uah红软基地
二、静态工作点稳定的典型电路 uah红软基地
2.  稳定原理uah红软基地
Re 的作用uah红软基地
3.  Q 点分析uah红软基地
4.  动态分析uah红软基地
三、稳定静态工作点的方法uah红软基地
引入直流负反馈uah红软基地
温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。uah红软基地
例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数？uah红软基地
讨论一uah红软基地
§2.5   晶体管放大电路的三种接法uah红软基地
一、基本共集放大电路uah红软基地
2.  动态分析：电压放大倍数uah红软基地
2.  动态分析：输入电阻的分析uah红软基地
2.  动态分析：输出电阻的分析uah红软基地
二、基本共基放大电路uah红软基地
2.  动态分析uah红软基地
三、三种接法的比较：空载情况下uah红软基地
    接法       共射       共集         共基uah红软基地
      Au               大         小于1        大    uah红软基地
      Ai           β         1＋β        αuah红软基地
      Ri           中           大            小uah红软基地
      Ro          大           小            大uah红软基地
    频带         窄           中            宽uah红软基地
讨论一：        图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。uah红软基地
讨论二uah红软基地
讨论二uah红软基地
§2.6 场效应管及其基本放大电路uah红软基地
一、场效应管（以N沟道为例）uah红软基地
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用uah红软基地
漏-源电压对漏极电流的影响uah红软基地
转移特性uah红软基地
输出特性uah红软基地
2.  绝缘栅型场效应管uah红软基地
增强型MOS管uDS对iD的影响uah红软基地
耗尽型 MOS管uah红软基地
MOS管的特性uah红软基地
利用Multisim测试场效应管的输出特性uah红软基地
3.  场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uah红软基地
二、场效应管静态工作点的设置方法uah红软基地
2.  自给偏压电路uah红软基地
3.  分压式偏置电路uah红软基地
三、场效应管放大电路的动态分析uah红软基地
2.  基本共源放大电路的动态分析uah红软基地
3.  基本共漏放大电路的动态分析uah红软基地
基本共漏放大电路输出电阻的分析uah红软基地
§2.7  派生电路uah红软基地
一、复合管uah红软基地
复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。uah红软基地
讨论一：判断下列各图是否能组成复合管uah红软基地
讨论二uah红软基地
二、派生电路举例：组合的结果带来什么好处？uah红软基地
第三章 多级放大电路uah红软基地
第三章 多级放大电路uah红软基地
§3.1 多级放大电路的耦合方式uah红软基地
一、直接耦合uah红软基地
如何设置合适的静态工作点？uah红软基地
NPN型管和PNP型管混合使用uah红软基地
二、阻容耦合uah红软基地
三、变压器耦合uah红软基地
讨论：两级直接耦合放大电路uah红软基地
   从Multisim “参数扫描” 结果分析两级放大电路Q点的相互影响。  R1取何值时T2工作在饱和区？uah红软基地
§3.2  多级放大电路的动态分析uah红软基地
一、动态参数分析uah红软基地
二、分析举例uah红软基地
讨论一  失真分析：由NPN型管组成的两级共射放大电路uah红软基地
讨论二：放大电路的选用uah红软基地
1.  按下列要求组成两级放大电路：uah红软基地
① Ri＝1～2kΩ，Au 的数值≥3000；uah红软基地
② Ri ≥ 10MΩ，Au的数值≥300；uah红软基地
③ Ri＝100～200kΩ，Au的数值≥150；uah红软基地
④ Ri ≥ 10MΩ ，Au的数值≥10，Ro≤100Ω。uah红软基地
§3.3  差分放大电路uah红软基地
一、零点漂移现象及其产生的原因uah红软基地
二、长尾式差分放大电路的组成uah红软基地
典型电路uah红软基地
三、长尾式差分放大电路的分析 uah红软基地
2.  抑制共模信号 uah红软基地
2.  抑制共模信号 ：Re的共模负反馈作用uah红软基地
3.  放大差模信号uah红软基地
差模信号作用时的动态分析uah红软基地
4.  动态参数：Ad、Ri、 Ro、 Ac、KCMRuah红软基地
        共模抑制比KCMR：综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。uah红软基地
四、差分放大电路的四种接法uah红软基地
1.  双端输入单端输出：差模信号作用下的分析uah红软基地
1.  双端输入单端输出：共模信号作用下的分析uah红软基地
1.  双端输入单端输出：问题讨论uah红软基地
2.  单端输入双端输出uah红软基地
2.  单端输入双端输出uah红软基地
3.  四种接法的比较：电路参数理想对称条件下uah红软基地
五、具有恒流源的差分放大电路uah红软基地
具有恒流源差分放大电路的组成uah红软基地
六、差分放大电路的改进uah红软基地
2.  场效应管差分放大电路uah红软基地
讨论一uah红软基地
讨论二uah红软基地
§3.4 互补输出级uah红软基地
一、对输出级的要求uah红软基地
二、基本电路uah红软基地
3.  动态分析uah红软基地
4.  交越失真uah红软基地
三、消除交越失真的互补输出级uah红软基地
四、准互补输出级      uah红软基地
§3.5 直接耦合多级放大电路读图uah红软基地
一、放大电路的读图方法uah红软基地
二、例题uah红软基地
2. 基本性能分析uah红软基地
3. 交流等效电路uah红软基地
 uah红软基地

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