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这是清华模电ppt，包括了电子技术的发展，模拟信号与模拟电路，电子信息系统的组成，模拟电子技术基础课的特点，如何学习这门课程，课程的目的，考查方法等内容，欢迎点击下载。

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绪     论8sY红软基地
一、电子技术的发展   电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！8sY红软基地
广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机8sY红软基地
网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器8sY红软基地
工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床8sY红软基地
交通：飞机、火车、轮船、汽车8sY红软基地
军事：雷达、电子导航8sY红软基地
航空航天：卫星定位、监测8sY红软基地
医学：γ刀、CT、B超、微创手术8sY红软基地
消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统8sY红软基地
   电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路8sY红软基地
半导体元器件的发展8sY红软基地
1947年     贝尔实验室制成第一只晶体管8sY红软基地
1958年     集成电路8sY红软基地
1969年     大规模集成电路8sY红软基地
1975年     超大规模集成电路8sY红软基地
二、模拟信号与模拟电路8sY红软基地
四、模拟电子技术基础课的特点 8sY红软基地
五、如何学习这门课程8sY红软基地
六、课程的目的8sY红软基地
1.  掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。8sY红软基地
2.  具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。8sY红软基地
七、考查方法8sY红软基地
1.  会看：读图，定性分析8sY红软基地
2.  会算：定量计算8sY红软基地
第一章 半导体二极管和三极管8sY红软基地
第一章 半导体二极管和三极管8sY红软基地
§1  半导体基础知识8sY红软基地
一、本征半导体8sY红软基地
2、本征半导体的结构8sY红软基地
3、本征半导体中的两种载流子8sY红软基地
二、杂质半导体 1.  N型半导体8sY红软基地
2.  P型半导体8sY红软基地
三、PN结的形成及其单向导电性8sY红软基地
PN 结的形成8sY红软基地
PN 结的单向导电性8sY红软基地
四、PN 结的电容效应8sY红软基地
问题8sY红软基地
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？8sY红软基地
为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？8sY红软基地
为什么半导体器件有最高工作频率？8sY红软基地
§2  半导体二极管8sY红软基地
 一、二极管的组成8sY红软基地
 一、二极管的组成8sY红软基地
 二、二极管的伏安特性及电流方程8sY红软基地
利用Multisim测试二极管伏安特性8sY红软基地
从二极管的伏安特性可以反映出：   1.  单向导电性8sY红软基地
三、二极管的等效电路8sY红软基地
2. 微变等效电路8sY红软基地
四、二极管的主要参数8sY红软基地
最大整流电流IF：最大平均值8sY红软基地
最大反向工作电压UR：最大瞬时值8sY红软基地
反向电流 IR：即IS8sY红软基地
最高工作频率fM：因PN结有电容效应8sY红软基地
讨论：解决两个问题8sY红软基地
如何判断二极管的工作状态？8sY红软基地
什么情况下应选用二极管的什么等效电路？8sY红软基地
五、稳压二极管8sY红软基地
§1.3    晶体三极管8sY红软基地
 一、晶体管的结构和符号8sY红软基地
二、晶体管的放大原理8sY红软基地
电流分配：    IE＝IB＋IC8sY红软基地
    IE－扩散运动形成的电流8sY红软基地
     IB－复合运动形成的电流8sY红软基地
     IC－漂移运动形成的电流8sY红软基地
三、晶体管的共射输入特性和输出特性8sY红软基地
2. 输出特性8sY红软基地
晶体管的三个工作区域8sY红软基地
四、温度对晶体管特性的影响8sY红软基地
五、主要参数8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性8sY红软基地
讨论三8sY红软基地
利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。8sY红软基地
第二章  基本放大电路8sY红软基地
第二章  基本放大电路8sY红软基地
§2.1  放大的概念与放大电路的性能指标8sY红软基地
一、放大的概念8sY红软基地
二、性能指标8sY红软基地
1. 放大倍数：输出量与输入量之比8sY红软基地
2. 输入电阻和输出电阻8sY红软基地
3. 通频带8sY红软基地
§2.2 基本共射放大电路的工作原理8sY红软基地
一、电路的组成及各元件的作用8sY红软基地
二、设置静态工作点的必要性8sY红软基地
三、基本共射放大电路的波形分析8sY红软基地
四、放大电路的组成原则8sY红软基地
静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。8sY红软基地
动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。8sY红软基地
对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。8sY红软基地
两种实用放大电路：（1）直接耦合放大电路8sY红软基地
两种实用放大电路：（2）阻容耦合放大电路8sY红软基地
§2.3   放大电路的分析方法8sY红软基地
一、放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
1. 直流通路：① Us=0，保留Rs；②电容开路；   ③电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。8sY红软基地
2. 交流通路：①大容量电容相当于短路；②直流电源相当于短路（内阻为0）。8sY红软基地
基本共射放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
二、图解法    应实测特性曲线 8sY红软基地
2.  电压放大倍数的分析8sY红软基地
3.  失真分析8sY红软基地
截止失真8sY红软基地
饱和失真8sY红软基地
消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
1.  用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。8sY红软基地
2.  用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。8sY红软基地
画出图示电路的直流通路和交流通路。8sY红软基地
三、等效电路法8sY红软基地
半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。8sY红软基地
2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）8sY红软基地
在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。8sY红软基地
在低频、小信号作用下的关系式8sY红软基地
h参数的物理意义8sY红软基地
简化的h参数等效电路－交流等效模型8sY红软基地
3. 放大电路的动态分析8sY红软基地
阻容耦合共射放大电路的动态分析8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
讨论三：基本共射放大电路的静态分析和动态分析8sY红软基地
讨论四：阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析8sY红软基地
讨论五：波形分析8sY红软基地
§2.4  静态工作点的稳定8sY红软基地
一、温度对静态工作点的影响8sY红软基地
二、静态工作点稳定的典型电路 8sY红软基地
2.  稳定原理8sY红软基地
Re 的作用8sY红软基地
3.  Q 点分析8sY红软基地
4.  动态分析8sY红软基地
三、稳定静态工作点的方法8sY红软基地
引入直流负反馈8sY红软基地
温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。8sY红软基地
例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数？8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
§2.5   晶体管放大电路的三种接法8sY红软基地
一、基本共集放大电路8sY红软基地
2.  动态分析：电压放大倍数8sY红软基地
2.  动态分析：输入电阻的分析8sY红软基地
2.  动态分析：输出电阻的分析8sY红软基地
二、基本共基放大电路8sY红软基地
2.  动态分析8sY红软基地
三、三种接法的比较：空载情况下8sY红软基地
    接法       共射       共集         共基8sY红软基地
      Au               大         小于1        大    8sY红软基地
      Ai           β         1＋β        α8sY红软基地
      Ri           中           大            小8sY红软基地
      Ro          大           小            大8sY红软基地
    频带         窄           中            宽8sY红软基地
讨论一：        图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
§2.6 场效应管及其基本放大电路8sY红软基地
一、场效应管（以N沟道为例）8sY红软基地
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用8sY红软基地
漏-源电压对漏极电流的影响8sY红软基地
转移特性8sY红软基地
输出特性8sY红软基地
2.  绝缘栅型场效应管8sY红软基地
增强型MOS管uDS对iD的影响8sY红软基地
耗尽型 MOS管8sY红软基地
MOS管的特性8sY红软基地
利用Multisim测试场效应管的输出特性8sY红软基地
3.  场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性8sY红软基地
二、场效应管静态工作点的设置方法8sY红软基地
2.  自给偏压电路8sY红软基地
3.  分压式偏置电路8sY红软基地
三、场效应管放大电路的动态分析8sY红软基地
2.  基本共源放大电路的动态分析8sY红软基地
3.  基本共漏放大电路的动态分析8sY红软基地
基本共漏放大电路输出电阻的分析8sY红软基地
§2.7  派生电路8sY红软基地
一、复合管8sY红软基地
复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。8sY红软基地
讨论一：判断下列各图是否能组成复合管8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
二、派生电路举例：组合的结果带来什么好处？8sY红软基地
第三章 多级放大电路8sY红软基地
第三章 多级放大电路8sY红软基地
§3.1 多级放大电路的耦合方式8sY红软基地
一、直接耦合8sY红软基地
如何设置合适的静态工作点？8sY红软基地
NPN型管和PNP型管混合使用8sY红软基地
二、阻容耦合8sY红软基地
三、变压器耦合8sY红软基地
讨论：两级直接耦合放大电路8sY红软基地
   从Multisim “参数扫描” 结果分析两级放大电路Q点的相互影响。  R1取何值时T2工作在饱和区？8sY红软基地
§3.2  多级放大电路的动态分析8sY红软基地
一、动态参数分析8sY红软基地
二、分析举例8sY红软基地
讨论一  失真分析：由NPN型管组成的两级共射放大电路8sY红软基地
讨论二：放大电路的选用8sY红软基地
1.  按下列要求组成两级放大电路：8sY红软基地
① Ri＝1～2kΩ，Au 的数值≥3000；8sY红软基地
② Ri ≥ 10MΩ，Au的数值≥300；8sY红软基地
③ Ri＝100～200kΩ，Au的数值≥150；8sY红软基地
④ Ri ≥ 10MΩ ，Au的数值≥10，Ro≤100Ω。8sY红软基地
§3.3  差分放大电路8sY红软基地
一、零点漂移现象及其产生的原因8sY红软基地
二、长尾式差分放大电路的组成8sY红软基地
典型电路8sY红软基地
三、长尾式差分放大电路的分析 8sY红软基地
2.  抑制共模信号 8sY红软基地
2.  抑制共模信号 ：Re的共模负反馈作用8sY红软基地
3.  放大差模信号8sY红软基地
差模信号作用时的动态分析8sY红软基地
4.  动态参数：Ad、Ri、 Ro、 Ac、KCMR8sY红软基地
        共模抑制比KCMR：综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。8sY红软基地
四、差分放大电路的四种接法8sY红软基地
1.  双端输入单端输出：差模信号作用下的分析8sY红软基地
1.  双端输入单端输出：共模信号作用下的分析8sY红软基地
1.  双端输入单端输出：问题讨论8sY红软基地
2.  单端输入双端输出8sY红软基地
2.  单端输入双端输出8sY红软基地
3.  四种接法的比较：电路参数理想对称条件下8sY红软基地
五、具有恒流源的差分放大电路8sY红软基地
具有恒流源差分放大电路的组成8sY红软基地
六、差分放大电路的改进8sY红软基地
2.  场效应管差分放大电路8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
§3.4 互补输出级8sY红软基地
一、对输出级的要求8sY红软基地
二、基本电路8sY红软基地
3.  动态分析8sY红软基地
4.  交越失真8sY红软基地
三、消除交越失真的互补输出级8sY红软基地
四、准互补输出级      8sY红软基地
§3.5 直接耦合多级放大电路读图8sY红软基地
一、放大电路的读图方法8sY红软基地
二、例题8sY红软基地
2. 基本性能分析8sY红软基地
3. 交流等效电路8sY红软基地
 8sY红软基地

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