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- 仪器设备PPT
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这是一个关于模电华成英答案PPT,包括了绪论,半导体二极管和三极管,基本放大电路,多级放大电路等内容,绪 论一、电子技术的发展 电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无孔不入”,应用广泛!广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业:钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通:飞机、火车、轮船、汽车军事:雷达、电子导航航空航天:卫星定位、监测医学:γ刀、CT、B超、微创手术消费类电子:家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程六、课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力,欢迎点击下载模电华成英答案PPT。
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绪 论一、电子技术的发展 电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无孔不入”,应用广泛!广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业:钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通:飞机、火车、轮船、汽车军事:雷达、电子导航航空航天:卫星定位、监测医学:γ刀、CT、B超、微创手术消费类电子:家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程六、课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。七、考查方法 1. 会看:读图,定性分析 2. 会算:定量计算第一章 半导体二极管和三极管第一章 半导体二极管和三极管 §1 半导体基础知识一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性四、PN 结的电容效应问题为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能?为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?为什么半导体器件有最高工作频率? §2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 利用Multisim测试二极管伏安特性从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路四、二极管的主要参数最大整流电流IF:最大平均值最大反向工作电压UR:最大瞬时值反向电流 IR:即IS 最高工作频率fM:因PN结有电容效应讨论:解决两个问题如何判断二极管的工作状态?什么情况下应选用二极管的什么等效电路?五、稳压二极管 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理 电流分配: IE=IB+IC IE-扩散运动形成的电流 IB-复合运动形成的电流 IC-漂移运动形成的电流三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性晶体管的三个工作区域四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数讨论一讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性讨论三利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。第二章 基本放大电路第二章 基本放大电路 §2.1 放大的概念与放大电路 的性能指标一、放大的概念二、性能指标 1. 放大倍数:输出量与输入量之比 2. 输入电阻和输出电阻 3. 通频带 §2.2 基本共射放大电路的工作原理一、电路的组成及各元件的作用二、设置静态工作点的必要性三、基本共射放大电路的波形分析四、放大电路的组成原则静态工作点合适:合适的直流电源、合适的电路参数。动态信号能够作用于晶体管的输入回路,在负载上能够获得放大了的动态信号。对实用放大电路的要求:共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。两种实用放大电路:(1)直接耦合放大电路两种实用放大电路:(2)阻容耦合放大电路 §2.3 放大电路的分析方法一、放大电路的直流通路和交流通路 1. 直流通路:① Us=0,保留Rs;②电容开路; ③电感相当于短路(线圈电阻近似为0)。 2. 交流通路:①大容量电容相当于短路;②直流电源相当于短路(内阻为0)。基本共射放大电路的直流通路和交流通路阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路二、图解法 应实测特性曲线 2. 电压放大倍数的分析 3. 失真分析截止失真 饱和失真消除方法:增大Rb,减小Rc,减小β,减小VBB,增大VCC。讨论一 1. 用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。 2. 用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。画出图示电路的直流通路和交流通路。三、等效电路法半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型,来描述非线性器件的特性。 2. 晶体管的h参数等效模型(交流等效模型)在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络,输入回路、输出回路各为一个端口。在低频、小信号作用下的关系式 h参数的物理意义简化的h参数等效电路-交流等效模型 3. 放大电路的动态分析阻容耦合共射放大电路的动态分析讨论一讨论二讨论三:基本共射放大电路的静态分析和动态分析讨论四:阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析讨论五:波形分析 §2.4 静态工作点的稳定一、温度对静态工作点的影响二、静态工作点稳定的典型电路 2. 稳定原理 Re 的作用 3. Q 点分析 4. 动态分析三、稳定静态工作点的方法引入直流负反馈温度补偿:利用对温度敏感的元件,在温度变化时直接影响输入回路。例如,Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数?讨论一 §2.5 晶体管放大电路的三种接法一、基本共集放大电路 2. 动态分析:电压放大倍数 2. 动态分析:输入电阻的分析 2. 动态分析:输出电阻的分析二、基本共基放大电路 2. 动态分析三、三种接法的比较:空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai β 1+β α Ri 中 大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽讨论一: 图示电路为哪种基本接法的放大电路?它们的静态工作点有可能稳定吗?求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。讨论二讨论二 §2.6 场效应管及其基本放大电路一、场效应管(以N沟道为例)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用漏-源电压对漏极电流的影响转移特性输出特性 2. 绝缘栅型场效应管增强型MOS管uDS对iD的影响耗尽型 MOS管 MOS管的特性利用Multisim测试场效应管的输出特性 3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路三、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析基本共漏放大电路输出电阻的分析 §2.7 派生电路一、复合管复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。讨论一:判断下列各图是否能组成复合管讨论二二、派生电路举例:组合的结果带来什么好处?第三章 多级放大电路第三章 多级放大电路 §3.1 多级放大电路的耦合方式一、直接耦合如何设置合适的静态工作点? NPN型管和PNP型管混合使用二、阻容耦合三、变压器耦合讨论:两级直接耦合放大电路 从Multisim “参数扫描” 结果分析两级放大电路Q点的相互影响。 R1取何值时T2工作在饱和区? §3.2 多级放大电路的动态分析一、动态参数分析二、分析举例讨论一 失真分析:由NPN型管组成的两级共射放大电路讨论二:放大电路的选用 1. 按下列要求组成两级放大电路: ① Ri=1~2kΩ,Au 的数值≥3000; ② Ri ≥ 10MΩ,Au的数值≥300; ③ Ri=100~200kΩ,Au的数值≥150; ④ Ri ≥ 10MΩ ,Au的数值≥10,Ro≤100Ω。 §3.3 差分放大电路一、零点漂移现象及其产生的原因二、长尾式差分放大电路的组成典型电路三、长尾式差分放大电路的分析 2. 抑制共模信号 2. 抑制共模信号 :Re的共模负反馈作用 3. 放大差模信号差模信号作用时的动态分析 4. 动态参数:Ad、Ri、 Ro、 Ac、KCMR 共模抑制比KCMR:综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。四、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出:差模信号作用下的分析 1. 双端输入单端输出:共模信号作用下的分析 1. 双端输入单端输出:问题讨论 2. 单端输入双端输出 2. 单端输入双端输出 3. 四种接法的比较:电路参数理想对称条件下五、具有恒流源的差分放大电路具有恒流源差分放大电路的组成六、差分放大电路的改进 2. 场效应管差分放大电路讨论一讨论二 §3.4 互补输出级一、对输出级的要求二、基本电路 3. 动态分析 4. 交越失真三、消除交越失真的互补输出级四、准互补输出级 §3.5 直接耦合多级放大电路读图一、放大电路的读图方法二、例题 2. 基本性能分析 3. 交流等效电路
清华模电华成英课件PPT:这是一个关于清华模电华成英课件PPT,包括了绪论,半导体二极管和三极管,基本放大电路,多级放大电路,放大电路的频率响应,放大电路中的反馈,信号的运算和处理,波形的发生和信号的转换,功率放大电路,直流电源等内容。绪 论一、电子技术的发展 电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无孔不入”,应用广泛!广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业:钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通:飞机、火车、轮船、汽车军事:雷达、电子导航航空航天:卫星定位、监测医学:γ刀、CT、B超、微创手术消费类电子:家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程六、课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。七、考查方法 1. 会看:读图,定性分析 2. 会算:定量计算第一章 半导体二极管和三极管第一章 半导体二极管和三极管 §1 半导体基础知识一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性四、PN 结的电容效应问题为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能,欢迎点击下载清华模电华成英课件PPT。